打破氮化镓激光芯片海外垄断
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“芯”光突围 格恩半导体
打破氮化镓激光芯片海外垄断

记者 唐朝
 

星报讯 无尘车间里,经过外延生长、光刻刻蚀、封装测试等十余道精密工序,一片片氮化镓激光芯片批量下线。日前,“活力中国调研行”采访团来到六安市金安经济开发区,探访这座实现国产激光芯片规模化量产的硬科技阵地。

作为国家级专精特新重点“小巨人”企业,安徽格恩半导体有限公司是国内氮化镓激光芯片赛道的核心突围者。

长期以来,氮化镓激光芯片核心技术被日、德企业垄断数十年,国内下游应用高度依赖进口。2023年8月,该企业实现国内氮化镓激光芯片规模量产零的突破,建成从芯片设计、外延生长、加工制造到封装测试、模组生产的完整IDM全产业链,仅用八个半月便完成全链条工厂建设,跑出了产业落地的“六安速度”。

目前,企业已形成蓝、绿、紫光全波段产品矩阵,蓝光芯片最高输出功率超7W,绿光芯片功率突破1.5W,性能达国际先进水平,产品批量进入激光投影、车载照明、工业加工、激光医疗等高价值场景,有效缓解了国内高端光源的供应风险。

“核心技术的壁垒,只能靠一次次实验去击穿。”格恩半导体技术中心负责人介绍,团队自主攻克了超低缺陷外延生长、高损伤阈值腔面镀膜、低热阻共晶封装等六大核心工艺,将芯片电光转换效率从35%提升至42%以上。这看似微小的数值提升,背后是研发团队针对晶体缺陷、腔面失效等行业共性难题,历经数百次迭代攻关的成果。近三年,企业累计研发投入约1.5亿元,研发强度常年保持在营收30%以上,累计申请专利超550项,发明专利占比超90%。

此外,六安市工信局相关负责人介绍,当地已初步构建从上游材料到下游封测的半导体产业链,金安区形成氮化镓激光产业核心集聚,通过专班精准服务、技改政策扶持、人才配套保障等举措为硬科技企业赋能。

 
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